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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MMBFJ112 

产品描述

Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R

内部编号

3-MMBFJ112

#1

数量:23200
3000+¥0.608
最小起订量:3000
英国伦敦
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#2

数量:6000
1+¥0.8475
25+¥0.7705
100+¥0.7705
500+¥0.6934
1000+¥0.6934
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

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MMBFJ112产品详细规格

规格书 MMBFJ112 datasheet 规格书
MMBFJ112 datasheet 规格书
MMBFJ112 datasheet 规格书
文档 Mold Compound 12/Dec/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
电流 - 漏(IDSS),VDS(VGS = 0) 5mA @ 15V
漏极至源极电压(VDSS) -
漏电流(ID) - 最大 -
FET 型 N-Channel
- 击穿电压(V(BR)的GSS) 35V
- 截止电压(VGS的关闭)@ ID 1V @ 1µA
输入电容(Ciss)@ Vds的 -
电阻 - RDS(ON) 50 Ohm
安装类型 Surface Mount
包装材料 Tape & Reel (TR)
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
功率 - 最大 350mW
包装 3SOT-23
配置 Single
最大门源电压 -35 V
最大漏极栅极电压 35 V
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Cut Tape
标准包装 Tape & Reel
供应商封装形式 SOT-23
最大门源电压 -35
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大功率耗散 350
最大漏极栅极电压 35
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电压 - 击穿( V(BR ) GSS ) 35V
安装类型 Surface Mount
电流 - 漏极(Idss ) @ VDS ( VGS = 0 ) 5mA @ 15V
电阻 - RDS(ON) 50 Ohm
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
电压 - 切断(VGS关)@ Id 1V @ 1µA
其他名称 MMBFJ112TR
FET型 N-Channel
功率 - 最大 350mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸 2.92 x 1.3 x 0.93mm
漏门通电容 28pF
身高 0.93mm
长度 2.92mm
最大漏源电阻 50 Ω
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23
来源Gate导通电容 28pF
宽度 1.3mm
工厂包装数量 3000
产品种类 JFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 - 35 V
系列 MMBFJ112
单位重量 0.002116 oz
RDS(ON) 50 Ohms
功率耗散 350 mW
安装风格 SMD/SMT
漏源电流在Vgs = 0 4 mA to 20 mA
零件号别名 MMBFJ112_NL
栅源截止电压 - 5 V
RoHS RoHS Compliant
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
漏栅极电压(最大值) 35 V
弧度硬化 No
栅源电压(最大值) -35 V
FET 类型 N-Channel
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 35V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 1V @ 1µA
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
电阻 - RDS(开) 50 Ohm
功率 - 最大值 350mW
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss) 5mA @ 15V
封装类型 SOT-23
通道类型 N
Board Level Components Y
最高工作温度 +150 °C
安装类型 表面贴装
配置
高度 0.93mm
最低工作温度 -55 °C
最大漏源电阻值 50 Ω
最大栅源电压 -35 V
Idss 漏-源切断电流 Min. 5mA
尺寸 2.92 x 1.3 x 0.93mm
引脚数目 3
最大漏门电压 35V
长度 2.92mm
宽度 1.3mm
漏门导通电容值 28pF
源门导通电容值 28pF
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage - 35 V
工作温度范围 - 55 C to + 150 C
品牌 Fairchild Semiconductor
Pd - Power Dissipation 350 mW
Rds On - Drain-Source Resistance 50 Ohms

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