规格书 |
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文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
电流 - 漏(IDSS),VDS(VGS = 0) | 5mA @ 15V |
漏极至源极电压(VDSS) | - |
漏电流(ID) - 最大 | - |
FET 型 | N-Channel |
- 击穿电压(V(BR)的GSS) | 35V |
- 截止电压(VGS的关闭)@ ID | 1V @ 1µA |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | - |
电阻 - RDS(ON) | 50 Ohm |
安装类型 | Surface Mount |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
功率 - 最大 | 350mW |
包装 | 3SOT-23 |
配置 | Single |
最大门源电压 | -35 V |
最大漏极栅极电压 | 35 V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Cut Tape |
标准包装 | Tape & Reel |
供应商封装形式 | SOT-23 |
最大门源电压 | -35 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | SOT-23 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大功率耗散 | 350 |
最大漏极栅极电压 | 35 |
最低工作温度 | -55 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Gull-wing |
电压 - 击穿( V(BR ) GSS ) | 35V |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 漏极(Idss ) @ VDS ( VGS = 0 ) | 5mA @ 15V |
电阻 - RDS(ON) | 50 Ohm |
供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
电压 - 切断(VGS关)@ Id | 1V @ 1µA |
其他名称 | MMBFJ112TR |
FET型 | N-Channel |
功率 - 最大 | 350mW |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
外形尺寸 | 2.92 x 1.3 x 0.93mm |
漏门通电容 | 28pF |
身高 | 0.93mm |
长度 | 2.92mm |
最大漏源电阻 | 50 Ω |
最高工作温度 | +150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | SOT-23 |
来源Gate导通电容 | 28pF |
宽度 | 1.3mm |
工厂包装数量 | 3000 |
产品种类 | JFET |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | - 35 V |
系列 | MMBFJ112 |
单位重量 | 0.002116 oz |
RDS(ON) | 50 Ohms |
功率耗散 | 350 mW |
安装风格 | SMD/SMT |
漏源电流在Vgs = 0 | 4 mA to 20 mA |
零件号别名 | MMBFJ112_NL |
栅源截止电压 | - 5 V |
RoHS | RoHS Compliant |
工作温度(最大) | 150C |
工作温度(最小值) | -55C |
工作温度分类 | Military |
漏栅极电压(最大值) | 35 V |
弧度硬化 | No |
栅源电压(最大值) | -35 V |
FET 类型 | N-Channel |
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 35V |
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) | 1V @ 1µA |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
电阻 - RDS(开) | 50 Ohm |
功率 - 最大值 | 350mW |
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss) | 5mA @ 15V |
封装类型 | SOT-23 |
通道类型 | N |
Board Level Components | Y |
最高工作温度 | +150 °C |
安装类型 | 表面贴装 |
配置 | 单 |
高度 | 0.93mm |
最低工作温度 | -55 °C |
最大漏源电阻值 | 50 Ω |
最大栅源电压 | -35 V |
Idss 漏-源切断电流 | Min. 5mA |
尺寸 | 2.92 x 1.3 x 0.93mm |
引脚数目 | 3 |
最大漏门电压 | 35V |
长度 | 2.92mm |
宽度 | 1.3mm |
漏门导通电容值 | 28pF |
源门导通电容值 | 28pF |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | - 35 V |
工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
Pd - Power Dissipation | 350 mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 50 Ohms |
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